|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 39 van 125 gevonden artikelen
| Titel: |
Electrical properties of Si doped Ga2O3 films grown by pulsed laser deposition |
| Auteur: |
Zhang, Fabi Saito, Katsuhiko Tanaka, Tooru Nishio, Mitsuhiro Guo, Qixin |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 26 (2015) nr. 12 pagina's 9624-9629 |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 39 van 125 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |