|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 13 van 61 gevonden artikelen
| Titel: |
Enhanced internal gettering in n/n+ epitaxial silicon wafer: coaction of nitrogen impurity and vacancy on oxygen precipitation in substrate |
| Auteur: |
Dong, Peng Liang, Xingbo Tian, Daxi Zhao, Jianjiang Gao, Chao Ma, Xiangyang Yang, Deren |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 25 (2014) nr. 8 pagina's 3486-3491 |
| Jaar: |
2014 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 13 van 61 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |