|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 69 van 70 gevonden artikelen
| Titel: |
The influence of reactor height adjustment on properties in GaN films grown on 6H-SiC by metal organic chemical vapor deposition |
| Auteur: |
Tao, Pengcheng Liang, Hongwei Xia, Xiaochuan Feng, Qiuju Wang, Dongsheng Liu, Yang Shen, Rensheng Zhang, Kexiong Cai, Xin Luo, Yingmin Du, Guotong |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 25 (2014) nr. 10 pagina's 4268-4272 |
| Jaar: |
2014 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 69 van 70 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |