|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 31 van 81 gevonden artikelen
| Titel: |
Enhanced leakage current properties of HfO2/GaN gate dielectric stack by introducing an ultrathin buffer layer |
| Auteur: |
Tang, Zhen Jie Li, Rong Yin, Jiang |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 25 (2013) nr. 1 pagina's 152-156 |
| Jaar: |
2013 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 31 van 81 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |