|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 31 van 71 gevonden artikelen
| Titel: |
Improved quality of GaN epilayer grown on porous SiC substrate by in situ H2 pre-treatment |
| Auteur: |
Song, Shiwei Shen, Rensheng Liang, Hongwei Liu, Yang Xia, Xiaochuan Zhang, Kexiong Yang, Dechao Wang, Dongsheng Du, Guotong |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 24 (2013) nr. 9 pagina's 3299-3302 |
| Jaar: |
2013 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 31 van 71 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |