|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 59 van 61 gevonden artikelen
| Titel: |
Transient electron transport in the III–V compound semiconductors gallium arsenide and gallium nitride |
| Auteur: |
Hadi, Walid A. Cheekoori, Reddiprasad Shur, Michael S. O’Leary, Stephen K. |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 24 (2012) nr. 2 pagina's 807-813 |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 59 van 61 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |