|
Characteristics of GaN thin films by inductively coupled plasma etching with Cl2/BCl3 and Cl2/Ar |
|
|
|
Titel: |
Characteristics of GaN thin films by inductively coupled plasma etching with Cl2/BCl3 and Cl2/Ar |
Auteur: |
Yang, G. F. Chen, P. Wu, Z. L. Yu, Z. G. Zhao, H. Liu, B. Hua, X. M. Xie, Z. L. Xiu, X. Q. Han, P. Shi, Y. Zhang, R. Zheng, Y. D. |
Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
Paginering: |
Jaargang 23 (2011) nr. 6 pagina's 1224-1228 |
Jaar: |
2011 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Springer US, Boston |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|