|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 51 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of annealing temperature on the microstructural and electrical properties of epitaxial Ga-doped ZnO film deposited on c-sapphire substrate |
| Auteur: |
Zhang, Zhiyun Bao, Chonggao Li, Qun Ma, Shengqiang Hou, Shuzeng |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 23 (2011) nr. 2 pagina's 376-383 |
| Jaar: |
2011 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 51 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |