|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 24 van 26 gevonden artikelen
| Titel: |
The formation of quantum dot structures in 30-pair InGaN/GaN multiple quantum wells after proper thermal annealing treatment |
| Auteur: |
Lin, Yen-Sheng Kuo, Ho-Hung Feng, Shih-Wei |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 23 (2012) nr. 10 pagina's 1830-1834 |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 24 van 26 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |