|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 21 gevonden artikelen
| Titel: |
Dopant enhanced in nickel silicide formation for high-k dielectric applications |
| Auteur: |
Tan, S. Y. |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 21 (2009) nr. 11 pagina's 1195-1201 |
| Jaar: |
2009 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 21 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |