|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 14 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of seed layer on the ferroelectric properties and leakage current characteristics of sol–gel derived vanadium doped PbZr0.53Ti0.47O3 films |
| Auteur: |
Valavan, S. E. |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 20 (2008) nr. 6 pagina's 555-559 |
| Jaar: |
2008 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 14 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |