|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 9 van 43 gevonden artikelen
| Titel: |
Depth profiles and concentration percentages of SiO2 and SiOx induced by ion bombardment of a silicon (100) target |
| Auteur: |
Lee, Chin Shuang Chen, Chia Chan Hsu, Chin Shun Lee, Shyong Hsu, Ron-Kai |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 19 (2008) nr. 8-9 pagina's 898-901 |
| Jaar: |
2008 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 9 van 43 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |