|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 25 van 43 gevonden artikelen
| Titel: |
Molecular beam epitaxy of semipolar AlN($$11\bar{2}2$$) and GaN($$11\bar{2}2$$) on m-sapphire |
| Auteur: |
Lahourcade, Lise Bellet-Amalric, Edith Monroy, Eva Chauvat, Marie Pierre Ruterana, Pierre |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 19 (2007) nr. 8-9 pagina's 805-809 |
| Jaar: |
2007 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 25 van 43 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |