|
| volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 1 van 43 gevonden artikelen
| Titel: |
A graphical peak analysis method for characterizing impurities in SiC, GaN and diamond from temperature-dependent majority-carrier concentration |
| Auteur: |
Matsuura, Hideharu |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 19 (2007) nr. 8-9 pagina's 720-726 |
| Jaar: |
2007 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 1 van 43 gevonden artikelen
| volgende >> |