|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 23 gevonden artikelen
| Titel: |
Carrier lifetime analysis in thin gate oxide FD-SOI n-MOSFETs by gate-induced drain current transients |
| Auteur: |
Hayama, K. Takakura, K. Ohyama, H. Rafí, J. M. Mercha, A. Simoen, E. Claeys, C. |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 19 (2007) nr. 2 pagina's 161-165 |
| Jaar: |
2007 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 23 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |