|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 40 van 93 gevonden artikelen
| Titel: |
High-resolution photoinduced transient spectroscopy of defect centers in vanadium-doped semi-insulating SiC |
| Auteur: |
Kamiński, Paweł Kozłowski, Roman Miczuga, Marcin Pawłowski, Michał Kozubal, Michał Pawłowski, Mariusz |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 19 (2008) nr. 1 pagina's 224-228 |
| Jaar: |
2008 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 40 van 93 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |