|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 31 van 93 gevonden artikelen
| Titel: |
Electron-beam-induced current study of electrical activity of dislocations in 4H–SiC homoeptaxial film |
| Auteur: |
Chen, Bin Chen, Jun Sekiguchi, Takashi Kinoshita, Akimasa Matsuhata, Hirofumi Yamaguchi, Hirotaka Nagai, Ichirou Okumura, Hajime |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 19 (2008) nr. 1 pagina's 219-223 |
| Jaar: |
2008 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 31 van 93 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |