|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 14 van 22 gevonden artikelen
| Titel: |
High boron incorporation in selective epitaxial growth of SiGe layers |
| Auteur: |
Ghandi, R. Kolahdouz, M. Hållstedt, J. Lu, Jun Wise, R. Wejtmans, H. Östling, M. Radamson, H. H. |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 18 () nr. 7 pagina's 747-751 |
| Jaar: |
2007-02-27 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic Publishers-Plenum Publishers, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 14 van 22 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |