|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 5 gevonden artikelen
| Titel: |
Steady-State and Transient Electron Transport Within the III–V Nitride Semiconductors, GaN, AlN, and InN: A Review |
| Auteur: |
O'Leary, Stephen K. Foutz, Brian E. Shur, Michael S. Eastman, Lester F. |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 17 (2006) nr. 2 pagina's 87-126 |
| Jaar: |
2006 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic Publishers, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 5 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |