|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 12 gevonden artikelen
| Titel: |
Effects of gate sidewall recess on Al0.2Ga0.8As/ In0.15Ga0.85As PHEMTs by citric-based selective etchant |
| Auteur: |
Yarn, K. F. Liao, C. I. Wang, Y. H. Houng, M. P. |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 16 (2005) nr. 8 pagina's 529-532 |
| Jaar: |
2005 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic Publishers, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 12 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |