|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 15 van 17 gevonden artikelen
| Titel: |
Synchrotron X-ray topography study of defects in indium antimonide P-I-N structures grown by metal organic vapour phase epitaxy |
| Auteur: |
Riikonen, J. Tuomi, T. Lankinen, A. Sormunen, J. Säynätjoki, A. Knuuttila, L. Lipsanen, H. McNally, P. J. O’Reilly, L. Danilewsky, A. Sipilä, H. Vaijärvi, S. Lumb, D. Owens, A. |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 16 (2005) nr. 7 pagina's 449-453 |
| Jaar: |
2005 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic Publishers, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 15 van 17 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |