|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 27 van 45 gevonden artikelen
| Titel: |
Non-selective growth of SiGe heterojunction bipolar trasistor layers at 700 °C with dual control of n- and p-type dopant profiles |
| Auteur: |
H. A. W. El Mubarek J. M. Bonar P. Ashburn Y. Wang P. Hemment O. Buiu S. Hall |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 14 (2003) nr. 5 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2003-05/07-/07 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic Publishers, Boston, U.S.A |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 27 van 45 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |