|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 24 van 45 gevonden artikelen
| Titel: |
Micro-Raman investigations of the degree of relaxation in thin SiGe buffer layers with high Ge content |
| Auteur: |
T. S. Perova R. Maurice R. A. Moore K. Lyutovich C. P. Parry M. Bauer E. Kasper |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 14 (2003) nr. 5 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2003-05/07-/07 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic Publishers, Boston, U.S.A |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 24 van 45 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |