|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 27 van 45 gevonden artikelen
| Titel: |
Non-selective growth of SiGe heterojunction bipolar trasistor layers at 700 °C with dual control of n- and p-type dopant profiles |
| Auteur: |
El Mubarek, H. A. W. Bonar, J. M. Ashburn, P. Wang, Y. Hemment, P. Buiu, O. Hall, S. |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 14 (2003) nr. 5-7 pagina's 261-265 |
| Jaar: |
2003 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic Publishers, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 27 van 45 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |