|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 63 van 90 gevonden artikelen
| Titel: |
Preferential growth of μc-Ge : H along the crystallographic axes of Si and Ge substrates by ECR plasma CVD |
| Auteur: |
S. Kobayashi T. Shimizu T. Aoki T. Asakawa |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 14 (2003) nr. 10 pagina's 3 p. |
| Jaar: |
2003-10/12-/12 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic Publishers, Boston, U.S.A |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 63 van 90 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |