|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 65 van 90 gevonden artikelen
| Titel: |
Raman study of ion-implanted hydrogenated amorphous silicon |
| Auteur: |
Danesh, P. Pantchev, B. Liarokapis, E. Schmidt, B. |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 14 (2003) nr. 10-12 pagina's 753-754 |
| Jaar: |
2003 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic Publishers, Dordrecht |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 65 van 90 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |