|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 24 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of annealing conditions on the formation of low-dose SIMOX structures implanted at 190 keV |
| Auteur: |
Tan, Yan Johnson, B. Seraphin, Supapan Jiao, Jun Anc, M. J. Allen, L. P. |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 12 (2001) nr. 9 pagina's 537-542 |
| Jaar: |
2001 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic Publishers, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 24 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |