|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 12 gevonden artikelen
| Titel: |
Electrical properties of bulk silicon dioxide and SiO2/Si interface formed by tetraethylorthosilicate (TEOS)-oxygen plasma enhanced chemical vapor deposition |
| Auteur: |
Kim, Hyo-Uk Rhee, Shi-Woo |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 11 (2000) nr. 8 pagina's 579-586 |
| Jaar: |
2000 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic Publishers, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 12 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |