|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8 van 10 gevonden artikelen
| Titel: |
Molecular beam epitaxy regrowth and device performance of GaAs-based pseudomorphic high electron mobility transistors using a thin indium passivation layer |
| Auteur: |
Chen, Sheu-Shung Lin, Chien-Cheng Peng, Chin-Kun Chan, Yi-Jen |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 11 (2000) nr. 6 pagina's 483-487 |
| Jaar: |
2000 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic Publishers, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8 van 10 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |