|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 9 van 16 gevonden artikelen
| Titel: |
Metalorganic molecular beam epitaxy of GaN and Al(Ga)N on GaAs(001) studied using laser reflectometry and reflectance anisotropy spectroscopy |
| Auteur: |
T. B. Joyce P. R. Chalker T. Farrell |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 10 (1999) nr. 8 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
1999-11 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic Publishers, Boston, U.S.A |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 9 van 16 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |