|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 21 gevonden artikelen
| Titel: |
Electrical characterization of deep levels existing in fully implanted and rapid thermal annealed \hbox{p}^{+}\hbox{n} InP junctions |
| Auteur: |
L. Quintanilla S. Duenas E. Casta´n R. Pinacho R. Pela´ez J. Barbolla |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 10 (1999) nr. 5 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
1999-07 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic Publishers, Boston, U.S.A |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 21 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |