|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 15 van 23 gevonden artikelen
| Titel: |
Monitoring of stress reduction in shallow trench isolation CMOS structures via synchrotron X-ray topography, electrical data and raman spectroscopy |
| Auteur: |
Mcnally, P. J. Curley, J. W. Bolt, M. Reader, A. Tuomi, T. Rantama¨ki, R. Danilewsky, A. N. DeWolf, I. |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 10 (1999) nr. 5-6 pagina's 351-358 |
| Jaar: |
1999 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic Publishers, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 15 van 23 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |