|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 35 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of oxygen vacancy concentration on the resistive random access memory characteristics of NiOx (x = 1, 0.97, 0.94) thin films |
| Auteur: |
Kim, Minsoo Son, Jong Yeog |
| Verschenen in: |
Journal of materials science |
| Paginering: | Jaargang 59 () nr. 7 pagina's 2988-2997 |
| Jaar: |
2024-02-16 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 35 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |