|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 21 gevonden artikelen
| Titel: |
Characterization of deep-level defects in highly-doped silicon with asymmetric structure by transient capacitance spectroscopy |
| Auteur: |
Liu, Chixian Dou, Wei Pan, Changyi Yin, Ziwei Liu, Xiaoyan Ling, Jingwei Chen, Tianye Shan, Yufeng Zhu, Jiaqi Deng, Huiyong Dai, Ning |
| Verschenen in: |
Journal of materials science |
| Paginering: | Jaargang 58 () nr. 26 pagina's 10651-10659 |
| Jaar: |
2023-06-26 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 21 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |