|
| volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 1 van 26 gevonden artikelen
| Titel: |
Correction to: High mobility monolayer MoS2 transistors and its charge transport behaviour under E-beam irradiation |
| Auteur: |
Shen, Tao Li, Feng Xu, Lei Zhang, Zhenyun Qiu, Fazheng Li, Zhichao Qi, Junjie |
| Verschenen in: |
Journal of materials science |
| Paginering: | Jaargang 56 () nr. 8 pagina's 5307-5308 |
| Jaar: |
2020-12-03 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 1 van 26 gevonden artikelen
| volgende >> |