|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 19 van 55 gevonden artikelen
| Titel: |
InAs0.9Sb0.1-based hetero-p-i-n structure grown on GaSb with high mid-infrared photodetection performance at room temperature |
| Auteur: |
Tong, Jinchao Tobing, Landobasa Y. M. Qian, Li Suo, Fei Zhang, Dao Hua |
| Verschenen in: |
Journal of materials science |
| Paginering: | Jaargang 53 (2018) nr. 18 pagina's 13010-13017 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 19 van 55 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |