|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 43 van 65 gevonden artikelen
| Titel: |
Minimizing the charge recombination rate at the FTO/Zn2SnO4 interface by metal oxide semiconductors in DSSCs |
| Auteur: |
Asemi, Morteza Ghanaatshoar, Majid |
| Verschenen in: |
Journal of materials science |
| Paginering: | Jaargang 53 (2018) nr. 10 pagina's 7551-7561 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 43 van 65 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |