|
Effect of a halogen-based precursor on dopant incorporation in 3C-SiC film epitaxy |
|
|
|
Titel: |
Effect of a halogen-based precursor on dopant incorporation in 3C-SiC film epitaxy |
Auteur: |
Negri, Marco Bosi, Matteo Orsi, Davide Rimoldi, Tiziano Attolini, Giovanni Buffagni, Elisa Ferrari, Claudio Cristofolini, Luigi Salviati, Giancarlo |
Verschenen in: |
Journal of materials science |
Paginering: |
Jaargang 52 (2017) nr. 16 pagina's 9787-9793 |
Jaar: |
2017 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Springer US, New York |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|