|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 14 van 30 gevonden artikelen
| Titel: |
Formation of GeSn layers on Si (001) substrates at high growth temperature and high deposition rate by sputter epitaxy method |
| Auteur: |
Tsukamoto, Takahiro Hirose, Nobumitsu Kasamatsu, Akifumi Mimura, Takashi Matsui, Toshiaki Suda, Yoshiyuki |
| Verschenen in: |
Journal of materials science |
| Paginering: | Jaargang 50 (2015) nr. 12 pagina's 4366-4370 |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 14 van 30 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |