|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 21 van 32 gevonden artikelen
| Titel: |
Simulation of doping levels and deep levels in InGaN-based single-junction solar cell |
| Auteur: |
Lin, Shuo Zeng, Shengwei Cai, Xiaomei Zhang, Jiangyong Wu, Shaoxiong Sun, Li Zhang, Baoping |
| Verschenen in: |
Journal of materials science |
| Paginering: | Jaargang 47 (2012) nr. 11 pagina's 4595-4603 |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 21 van 32 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |