|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 60 van 92 gevonden artikelen
| Titel: |
Phase transition characteristics and electrical properties of nitrogen-doped GeSb thin films for PRAM applications |
| Auteur: |
Lee, Seung Yun Kim, Hyung Keun Kim, Jin Hyock Roh, Jae Sung Choi, Doo Jin |
| Verschenen in: |
Journal of materials science |
| Paginering: | Jaargang 44 () nr. 16 pagina's 4354-4359 |
| Jaar: |
2009-08-01 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 60 van 92 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |