|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 21 van 42 gevonden artikelen
| Titel: |
Improvement of the crystallinity of GaN epitaxial films grown on sapphire substrates due to the use of AlN quantum dot buffer layers |
| Auteur: |
Kim, M. D. Kim, T. W. |
| Verschenen in: |
Journal of materials science |
| Paginering: | Jaargang 40 (2005) nr. 20 pagina's 5533-5535 |
| Jaar: |
2005 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic Publishers, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 21 van 42 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |