|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 19 van 27 gevonden artikelen
| Titel: |
Morphology and growth mechanism of silicon carbide chemical vapor deposited at low temperatures and normal atmosphere |
| Auteur: |
Y Xu L Cheng L Zhang W Zhou |
| Verschenen in: |
Journal of materials science |
| Paginering: | Jaargang 34 (1999) nr. 3 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
1999-0201-01 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic Publishers, Boston, U.S.A |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 19 van 27 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |