|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8 van 19 gevonden artikelen
| Titel: |
Electrical and memory window properties of Sr0.8-xBaxBi2.2Ta2-yZryO9 ferroelectric gate in metal-ferroelectric-insulator-semiconductor structure |
| Auteur: |
Bozgeyik, M. S. Cross, J. S. Ishiwara, H. Shinozaki, K. |
| Verschenen in: |
Journal of electroceramics |
| Paginering: | Jaargang 28 (2012) nr. 2-3 pagina's 158-164 |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8 van 19 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |