|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 28 van 68 gevonden artikelen
| Titel: |
Electrical properties of ultrathin HfO2 gate dielectrics on partially strain compensated SiGeC/Si heterostructures |
| Auteur: |
Mahapatra, R. Maikap, S. Ray, S. K. |
| Verschenen in: |
Journal of electroceramics |
| Paginering: | Jaargang 16 (2006) nr. 4 pagina's 545-548 |
| Jaar: |
2006 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic Publishers, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 28 van 68 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |