|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 118 gevonden artikelen
| Titel: |
Anisotropic dopant diffusion in Si under stress using both continuum and atomistic methods |
| Auteur: |
Martin-Bragado, I. Avci, I. El Sayed, K. Koltyzhenkov, V. Lyumkis, E. Johnson, M. D. |
| Verschenen in: |
Journal of computational electronics |
| Paginering: | Jaargang 7 (2008) nr. 3 pagina's 103-106 |
| Jaar: |
2008 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 118 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |