|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 24 van 29 gevonden artikelen
| Titel: |
Synergistic effect of total ionizing dose and single event gate rupture in MOSFET with Si3N4–SiO2 stacked gate |
| Auteur: |
Cao, Rongxing Liu, Hanxun Wang, Kejia Hu, Dike Wang, Yiyuan Zeng, Xianghua Xue, Yuxiong |
| Verschenen in: |
Journal of computational electronics |
| Paginering: | Jaargang 23 () nr. 6 pagina's 1298-1305 |
| Jaar: |
2024-09-06 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 24 van 29 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |