|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 35 gevonden artikelen
| Titel: |
An embedded β-Ga2O3 layer in a SOI-LDMOS to improve breakdown voltage |
| Auteur: |
Gholipour, Farshad Orouji, Ali A. Madadi, Dariush |
| Verschenen in: |
Journal of computational electronics |
| Paginering: | Jaargang 21 () nr. 1 pagina's 206-213 |
| Jaar: |
2022-02-02 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 35 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |