|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 35 gevonden artikelen
| Titel: |
Electrostatic characteristics of a high-k stacked gate-all-around heterojunction tunnel field-effect transistor using the superposition principle |
| Auteur: |
Usha, C. Vimala, P. Ramkumar, K. Ramakrishnan, V. N. |
| Verschenen in: |
Journal of computational electronics |
| Paginering: | Jaargang 21 () nr. 1 pagina's 181-190 |
| Jaar: |
2022-01-03 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 35 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |