|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 23 van 51 gevonden artikelen
| Titel: |
Impact of gate sidewall angle on the electrical characteristics of V-shaped gate III-nitride HEMTs: An investigation into self-heating and geometrical effects |
| Auteur: |
Kurd, Zeynab Ahangari, Zahra Mohammad Zamani, Mohammad Javad Haghshenas, Ali |
| Verschenen in: |
Journal of computational electronics |
| Paginering: | Jaargang 20 () nr. 6 pagina's 2431-2440 |
| Jaar: |
2021-10-13 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 23 van 51 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |